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GaN 基电子材料

外延生长和器件微加工代工服务

准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片对比选型>

GaN-on-Si for vertical power devices

适用于准垂直结构SBD

尺寸 4-6英寸厚度>5μmμ＞800 cm2/Vs

功率器件用 Si 衬底外延片对比选型>

GaN-on-Si for power devices

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸耐压 650V方阻 350 ohm/sq

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